Samsung представила рекордно ёмкую память HBM3E 12H объёмом 36 ГБ на стек с пропускной способностью 1,28 ТБ/с

Поделиться

Компания Samsung объявила о том, что разрабатывает первую в отрасли микросхему памяти HBM3E 12H объёмом 36 ГБ.

Samsung представила рекордно ёмкую память HBM3E 12H объёмом 36 ГБ на стек с пропускной способностью 1,28 ТБ/с

Так как это память HBM, корректнее говорить, что это не микросхема, а стек. В данном случае состоящий из 12 слоёв, что в итоге даёт самую большую в отрасли ёмкость среди памяти HBM.

Пропускная способность новой памяти Samsung впечатляет — 1,28 ТБ/с! По сравнению со стеком HBM3 8H она выросла на 50%, как и ёмкость.

Samsung в своём пресс-релизе акцентирует внимание на рынок искусственного интеллекта, так как ускорители для ИИ обычно оснащаются именно памятью HBM, и для них очень важен как объём этой памяти, так и пропускная способность.

Также Samsung рассказала об усовершенствованной термокомпрессионной непроводящей плёнке (TC NCF), которая позволила создать 12-слойный стек такой же высоты, как и восьмислойный. Кроме того, эта плёнка улучшает тепловые свойства памяти.

Массовое производство новой памяти стартует в течение текущего полугодия.

Похожие новости

В России на миллион рублей подешевел новый кроссовер Toyota Frontlander

В России еще сильнее подешевели новые кроссоверы Toyota Frontlander....

Фанатов Apple Vision Pro можно определить по синякам под глазами

Появление на рынке гарнитуры виртуальной реальности Apple...

Huawei Pura приходит на смену серии Huawei P: что происходит?

Huawei наконец-то приступила к разогреву публики перед выходом нового...

Стартап xAI представил первую мультимодальную версию Grok-1.5V

Компания Илона Маска xAI представила новую модель чат-бота...
- Advertisement -spot_img