Небольшая команда исследователей из Лаборатории материаловедения MIT разработала транзистор, не уступающий по характеристикам тем, что используются в производстве микросхем флэш-памяти, но с дополнительным преимуществом — он не изнашивается при использовании. Вместо обычной кремниевой технологии этот транзистор изготовлен из ферромагнитного материала.
Новый транзистор состоит из двух тонких слоев нитрида бора и является ферроэлектрическим (FeFET). При приложении электрического поля слои скользят друг относительно друга, изменяя электрические свойства материала. Переключение состояний происходит за наносекунды, что соответствует современной NAND флэш-памяти, но исследователи обнаружили, что транзистор может выдержать 100 миллиардов переключений без значительной деградации.
Профессор Раймонд Ашури, один из руководителей исследования, заявил:
Когда я думаю о своей карьере в физике, это та работа, которая, по моему мнению, через 10-20 лет может изменить мир.
Профессор Пабло Харильо-Эрреро добавил:
Это один из первых и, возможно, самых драматичных примеров того, как фундаментальная наука привела к чему-то, что может оказать серьезное влияние на практические приложения.
Однако есть и важное ограничение: исследовательская группа создала только один транзистор, в то время как средний SSD объемом 1 ТБ содержит несколько триллионов транзисторов. На данный момент массовое производство больших пластин чипов из ферроэлектрических материалов невозможно, поэтому в ближайшее время такие транзисторы не появятся в коммерческих SSD.