Мировые производители памяти Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology начали ранний этап разработки оперативной памяти нового поколения DDR6. По данным TheElec, компании уже передали свои проекты производителям подложек для создания первых прототипов и тестирования.
Новое поколение оперативной памяти должно существенно превзойти DDR5 по скорости – ожидается кратный рост пропускной способности. Это особенно важно для серверных решений и систем с искусственным интеллектом, где объемы данных и требования к скорости постоянно растут.
Читайте такжеЦены на оперативную память взлетели. Как ИИ оставил украинцев без дешевых устройств
Впрочем, разработка сопровождается техническими вызовами. На высоких скоростях значительно сложнее обеспечить стабильность сигнала и энергоэффективность, поэтому производители привлекают партнеров еще на ранних этапах. Кроме того, стандарты DDR6 пока не утверждены организацией JEDEC – спецификации все еще дорабатываются.
Массовое производство DDR6 ожидается не раньше 2028-2029 годов. Спрос на нее будет формироваться прежде всего сегментом ИИ, который уже повлиял на цены памяти. В то же время ожидается, что ближе к 2027 году рынок стабилизируется.
Недавно стало известно, что накануне релиза Grand Theft Auto VI компания Microsoft может столкнуться с дефицитом консолей Xbox и дефицитом консолей Xbox Series X и Xbox Series S. А цены на смартфоны вырастут на 14% в 2026 году из-за нехватки памяти.
